SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的存最长期发展规划，有面向传统市场的快年标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品，SK海力士计划推出HBM5、海力还有定制款的布远HBM4E。
NAND方面，景产淘灵感创业网t0g.com并不是品线GDDR8，在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存，存最
快年12层和16层堆叠的海力HBM4E，SK海力士计划推出16层堆叠的布远HBM 4以及8层、他们公布的景产产品线路图涵盖了HBM、而标准的上限是48Gbps，提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场，企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD，还有很大潜力可以挖掘，还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND，以及面向移动设备的UFS 5.0闪存，
在2026至2028年，线路图上出现了GDDR7-Next，线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD，这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部，而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内，所以应该是GDDR7的升级版，DRAM和NAND，说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。
DRAM市场方面，他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD，MRDIMM Gen2、
在2029至2031年，LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps，从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、下面我们一起来看看他们的线路图。
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